Besoin d’aide pour vos démarches en ligne ? 3.1 sic 半导体材料的基本性质 3.1.1 sic 的晶体结构 sic 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。sic 独特的性质与其结构密切相. 18 nouveaux logements et 4 commerces chantier découverte sic :
Sic Semper Tyrannis III Photograph by Judy Smith Fine Art America
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一、碳化硅（sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（sic）单晶.
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